Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

Заканчивается

2SC 2068

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

41.79 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2188

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2188Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 VМакcим..

14.57 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2206

Биполярный транзистор 2SC2206Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустим..

20.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2209

Биполярный транзистор 2SC2209Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимо..

28.99 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2210

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2210Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcи..

5.57 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2229

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2229Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакc..

13.39 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2230(A)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

10.49 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2235

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

19.51 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2236(Y)

Биполярный транзистор 2SC2236YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допусти..

13.81 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2238(Y)

Наименование производителя: 2SC2238Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 VМакcимально д..

82.14 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2258

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2258Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcим..

32.62 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2271

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

7.70 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2310

Биполярный транзистор 2SC2310Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допуст..

14.18 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2314

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2314Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимал..

51.28 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2316(Y)

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2316YТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМак..

11.65 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2320

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2320Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcим..

8.75 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2328A

Биполярный транзистор 2SC2328AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допус..

8.17 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2331

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb..

12.48 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2333

ОписаниеНаименование производителя: 2SC2333Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

26.22 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2334

Биполярный транзистор 2SC2334Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допусти..

64.09 ₽

В корзину

Популярный

2SC 2555

Биполярный транзистор 2SC2555Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..

58.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2570(A)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 AПре..

27.86 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2577

Биполярный транзистор 2SC2577Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный то..

128.16 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 2581

Биполярный транзистор 2SC2581Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный постоянный т..

128.16 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.