2SA 1615(Z)

Транзистор 2SA1615Z — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт).
Тип корпуса TO-251.

пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю (UКЭ0, ПРОБ): 20В
пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора (UКБ0, ПРОБ): 30В
напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э (UКЭ): 2В
максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора (IК, МАКС): 1000мА
постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э (IК): 500мА
статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (h21Э мин): 200
статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (h21Э макс): 600
граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (fГР): 120МГц
максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора (PК, МАКС): 1000мВт