0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
67.81 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Partname: BUK444-500ADescription: MOSFETs and TempFETsManufacturer: Philips SemiconductorsPackage: SOT-186..
67.81 ₽
В корзину
Популярный
Наименование: BUK444-600BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ug..
123.30 ₽
В корзину
Популярный
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
92.48 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально до..
69.36 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
74.82 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление с..
108.73 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..
213.03 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..
100.19 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..
154.13 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
190.25 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
131.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]ОписаниеDiscrete IGBTs, Fairchild SemiconductorТехнические параметрыТехнология/семейство field stopНаличие встроенного диода даМаксимальное напряжение КЭ ,В 600Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80..
308.26 ₽
В корзину
Популярный
Транзистор HY3208 TO220арт.21909Корпус to-220Структура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В 80Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт 226Максимальный ток сток-исток при Iси, А 120Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом 0,0085..
125.00 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
IRF1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 180А [TO-220AB]ОписаниеТранзистор полевой N-канальный 40В 180А 200Вт, 0.004 ОмТехнические параметрыСтруктура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 202 ..
275.05 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеНаименование прибора: IRF822Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый..
114.00 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование прибора: IRF822FIТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустим..
80.75 ₽
В корзину
![Транзисторы полевые Транзисторы полевые](https://huayu.ru/image/cache/catalog/02category/SKD,%20HY-120x120.jpg)