0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

BC - BF

0
BC174B-CDI, Транзистор: NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 0,35/1Вт, TO92, 10дБОписаниеНаименование производителя: BC174BТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 64..
17.23 ₽
В корзину
0
Характеристики транзистора BC182Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 ВНапряжение коллектор-база, не более: 60 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.3..
22.71 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BC212Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое..
14.88 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC328Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое..
8.08 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
10.86 ₽
В корзину
0
NPN 40V,100MAКорпус TO-92Вес 0,2 г..
5.38 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
8.98 ₽
В корзину
0
BC547B, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 ..
5.33 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
4.24 ₽
В корзину
Заканчивается
0
BC556B, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Характеристики транзистора BC556BСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более..
4.85 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC558BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
5.31 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC558CТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
7.94 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC635Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально допустимое н..
6.34 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: BC879Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
33.25 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеФункционал Симистор (TRIAC)Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor..
100.95 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: BD677Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcималь..
49.55 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Описание Характеристики транзистора BD679AСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 4 АРассеиваемая мощность коллектора, не бо..
66.91 ₽
В корзину
0
Описание Наименование производителя: BD680AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
53.02 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BDX34BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимально допустимое..
99.75 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BF423SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допуст..
8.08 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: BF459Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимал..
31.12 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BF469Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допустимое..
39.68 ₽
В корзину
BC - BF