0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

0
ОписаниеAT24C01A/02/04/08/16 постоянное запоминающее устройство обеспечивает 1024/2048/4096/8192/16384 битов серии электрически стираемое и программируемое (EEPROM), организованное как 128/256/512/1024/2048 слов по 8 бит. Устройство оптимизировано дл..
62.01 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Корпус DIP8..
94.44 ₽
В корзину
0
ОписаниеПоследовательная энергонезависимая памятьМикросхема 24C01 является энергонезависимым постоянным запоминающим устройством с возможностью перепрограммирования (EEPROM) с обменном данных по интерфейсу I?C.Микросхемы данной серии зарекомендовали ..
78.92 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Корпус DIP8Производитель : ST MICROELECTRONICS..
112.75 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
8.58 ₽
В корзину
0
ОписаниеХарактеристики транзистора 2N5415Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 ВНапряжение коллектор-база, не более: -200 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -4 VТок коллектора, не более: -1 АРассеиваемая мощность коллектора, ..
72.42 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2N6039Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимал..
50.74 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SA1011Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 VМакcи..
55.90 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SA1012Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимо..
29.58 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SA1015Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустим..
3.38 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SA1020Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустим..
35.11 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SA1102Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напр..
125.01 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SA1160Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcим..
11.27 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SA1162Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое на..
28.19 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SA1186Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допуст..
293.15 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SA1242Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимально допустимое напря..
35.05 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SA1244Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напря..
43.65 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
28.19 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеБиполярный транзистор 2SA1268 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.Наименование производителя: 2SA1268Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-..
33.58 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SA1273Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 AПредельная температура PN-перехода (T..
9.02 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
56.16 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SA1309Полярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 VМакcимальный постоянный ток коллект..
21.81 ₽
В корзину
0
Описание Наименование производителя: 2SA1317Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcи..
20.74 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор 2SA1318Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимальный постоян..
28.19 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.