0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..
689.74 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора MJE2955TСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -10 АРассеиваемая мощность коллектора,..
54.86 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
115.26 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13005, E13005-2MJE13005, Транзистор, NPN, 400В, 4А, 75Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13005Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
89.02 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13007, E13007-2MJE13007, Транзистор, NPN, 400В, 8А, 80Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13007Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
115.21 ₽
В корзину
Популярный
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13009, E13009-2MJE13009, Транзистор, NPN, 400В, 12А, 100Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13009Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Н..
146.63 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..
210.03 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Микросхема S1854 является драйвером регулятора для линейного телевизора, который состоит из транзистора усилителя ошибки, стабилитрона стандартного напряжения и поликремниевых резисторов на монолитной микросхеме.Мощный биполярный транзистор, 0.05AI (..
146.26 ₽
В корзину
Популярный
Характеристики транзистора SS8050Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ..
9.54 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9012Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимальный постоя..
3.46 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: SS9015Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..
2.82 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор SS9018Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 VМакcимальный постоянн..
4.14 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Характеристики транзистора TIP102Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 8 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 80..
92.38 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Технические параметрыСтруктура npn darlington с 2 резисторами и диодомМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80Максимально допустимый то..
69.29 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP31AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимо..
30.89 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор TIP32Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимое ..
21.78 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Биполярный транзистор TIP32C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: TIP32C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллек..
54.86 ₽
В корзину
Популярный
Биполярный транзистор KT3102VПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение ..
16.07 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеКТ3102д, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92] (=BC547B),Тип товара : Транзистры биполярныеСовместимость : Оригинальный предназначен для техники: ABCТип товара: Транзистры биполярные..
16.07 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503ВСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
3.11 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса..
26.44 ₽
В корзину
Популярный
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
29.99 ₽
В корзину
Популярный
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
29.99 ₽
В корзину
Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.
Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.
Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.