0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Электронные компоненты

0
Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
13.58 ₽
В корзину
0
NPN 40V,100MAКорпус TO-92Вес 0,2 г..
6.72 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
11.22 ₽
В корзину
0
BC547B, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 ..
6.66 ₽
В корзину
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
5.30 ₽
В корзину
Заканчивается
0
BC556B, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Характеристики транзистора BC556BСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более..
6.06 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC558BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
6.64 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC558CТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
9.93 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BC635Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально допустимое н..
7.93 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: BC879Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
41.57 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеФункционал Симистор (TRIAC)Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor..
126.22 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: BD677Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcималь..
61.96 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Описание Характеристики транзистора BD679AСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 4 АРассеиваемая мощность коллектора, не бо..
83.66 ₽
В корзину
0
Описание Наименование производителя: BD680AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
66.29 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BDX34BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимально допустимое..
124.71 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BF423SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допуст..
10.10 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BF469Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допустимое..
49.61 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеТехнические данные QFP80Функциональное назначение ИС для аудио/видео техники..
1 635.18 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель PanasonicПроцессор ТВ..
3 603.64 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель RohmКорпус SDIP52..
4 754.70 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеКраткая информацияПроисхождение товара:PhilippinesНаименование:ОригиналМодели:BN5115BУпаковка:Всеd/c:Новейшая модель;Тип:ICКода даты:2015Скайп:Hkwinsome5Электронные компоненты:ICПустое:Интегральные схемыПеред покупкой уточняйте характеристики..
42.86 ₽
В корзину
0
ОписаниеTEL номеронабиратель..
42.29 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Симистop (симметричный триодный тиристор) или триак — полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ). В отл..
75.60 ₽
В корзину
Электронные компоненты

Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.

Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.

Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.