0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Электронные компоненты

Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1187Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
44.66 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1240Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимал..
44.66 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SB1274Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально доп..
42.73 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Наименование производителя: 2SB1318Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально до..
155.95 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеТранзистор 2SB1330Q — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92...
37.13 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Наименование производителя: 2SB1340Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально д..
203.42 ₽
В корзину
0
ОписаниеХарактеристики транзистора 2SB1366Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -60 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -7 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, н..
19.53 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1370Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..
35.44 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SB1375Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально доп..
48.82 ₽
В корзину
0
ОписаниеТранзистор 2SB1425 — биполярный, кремниевый, низкочастотный ( FГР < 30 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора — транзисторы: 2SA1315, 2SB733, 2SB892, 2SB1434...
28.35 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеТранзистор биполярныйТехнические характеристики:Структура: P-N-PМаксимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э: 70 ВМаксимальное напряжение к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б: 60 ВМаксимально допустимы..
173.68 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1559Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcималь..
134.48 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1565Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcима..
67.34 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1566Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcима..
34.65 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB1626Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcималь..
64.03 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB703AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcим..
77.99 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB709Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcима..
46.08 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор 2SB716Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально допуст..
46.76 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 VMaximum Collector Current |Ic max|: 1 A..
67.81 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB733Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный по..
48.92 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SB773AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 VМакcимально д..
125.03 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SB794Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
70.90 ₽
В корзину
Заканчивается
0
2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура pnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе ..
84.51 ₽
В корзину
0
Наименование производителя: 2SB857Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допу..
29.86 ₽
В корзину
Электронные компоненты

Электронные компоненты (радиодетали) — это составляющие части электронных схем.

Просторечное название электронных компонентов — «радиодетали» — появилось от того, что в начале XX века первым повсеместно распространённым и при этом технически сложным для неспециалиста электронным устройством стало радио.

Изначально термин «радиодетали» означал электронные компоненты, применяемые для производства радиоприёмников; затем обиходное название распространилось и на остальные радиоэлектронные компоненты и устройства, уже не имеющие прямой связи с радио.