0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

NEC

Заканчивается
2SD 2165
0
Биполярный транзистор 2SD2165Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допусти..
140.70 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 2231
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD2391Маркировка: DTQТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (U..
224.23 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 2333 (Original)
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
102.44 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 5071
0
Биполярный транзистор 2SD5071Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допуст..
184.00 ₽
В корзину
2SD 525
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A..
72.75 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 553
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ue..
128.96 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 560
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
99.22 ₽
В корзину
2SD 637(Q,R)
0
ОписаниеТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер..
6.91 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 751
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
198.42 ₽
В корзину
2SD 774
0
2SD774, Транзистор NPN 100В 1А 1Вт [SP-8]Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 VМакcимальный по..
66.59 ₽
В корзину
Заканчивается
2SD 883
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SD883Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный ..
451.61 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 105
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SK105Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 5 VМаксимально допустимый п..
4.21 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1120
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AОбщий заряд затвора (Qg): 120 nCСопротивление сток-исток от..
410.00 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1377 (Plastik)
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SK1377Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимы..
193.13 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1388
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SK1388Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение в..
85.37 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1460
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 AМак..
129.77 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1487
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 AМак..
823.17 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1606
0
ОписаниеНаименование прибора: 2SK1606Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимы..
367.16 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 1821
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально доп..
256.05 ₽
В корзину
2SK 1953
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CОбщий заряд затво..
129.29 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 2038
0
Технические параметрыСтруктура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В 800Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А ..
142.43 ₽
В корзину
Заканчивается
2SK 2039
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 AМакс..
278.78 ₽
В корзину
2SK 2043
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 AМакси..
117.76 ₽
В корзину
2SK 212
0
Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 WПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 2.5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 AМаксимальная температура канала (Tj): 125 °CВыходная емко..
16.85 ₽
В корзину