0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

PHILIPS

74HC00D (К 1561 ЛА3)
0
Описание74HC00D является высокоскоростным si-gate CMOS устройством, которое соответствует стандарту JEDEC no. 7A. Оно также совместимо по выводам с LSTTL.• CMOS level• ESD protectionТехнические параметрыСерия 74HCТип логичекого элемента 2и-неКол-во э..
19.66 ₽
В корзину
BF 423(S)
0
Биполярный транзистор BF423SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допуст..
6.80 ₽
В корзину
BF 459
0
ОписаниеНаименование производителя: BF459Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимал..
26.22 ₽
В корзину
Заканчивается
BF 469
0
Биполярный транзистор BF469Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допустимое..
33.43 ₽
В корзину
BT 9151-3
0
ОписаниеTEL номеронабиратель..
28.50 ₽
В корзину
BUK 444-500A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
67.81 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 444-500A,B (Plastic)
0
Partname: BUK444-500ADescription: MOSFETs and TempFETsManufacturer: Philips SemiconductorsPackage: SOT-186..
67.81 ₽
В корзину
BUK 444-600A,B
0
Наименование: BUK444-600BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ug..
123.30 ₽
В корзину
BUK 444-800A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
92.48 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 445-500A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально до..
69.36 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 446-600A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..
74.82 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 446-800A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление с..
108.73 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 454-800A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..
213.03 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 455-500A,B
0
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..
100.19 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 456-1000A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..
154.13 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 456-200A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
190.25 ₽
В корзину
Заканчивается
BUK 456-800A,B
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..
131.00 ₽
В корзину
Заканчивается
BUV 48C
0
Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..
219.64 ₽
В корзину
Заканчивается
BUW 11A
0
217.35 ₽
В корзину
BUW 12A
0
Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..
173.61 ₽
В корзину
TDA 1005A
0
ОписаниеЧастотный мультиплексор, стерео декодер с фазовой автоподстройкой частоты..
407.83 ₽
В корзину
Заканчивается
TDA 1006A
0
ОписаниеПроизводитель:NSТехнические данные:TO220-5(16-60V; 1x20W/4 Ohm УНЧ) аналог LM1875TФункциональное назначение:ИС для аудио/видео техники..
2 005.34 ₽
В корзину
TDA 1010(A)
0
Микросхема TDA1010A (Philips) хотя и имеет номинальное напряжение питания 14,4V, но может работать и при повышенном напряжении питания до 24 V, что позволяет использовать ее в магнитолах для грузовых автомобилей.VccMin. 6VVccNom. 14.4VVccMax. 24VPOu..
89.02 ₽
В корзину
Заканчивается
TDA 1011
0
TDA1011 — Звуковой усилитель мощности с регулятором громкостиVcc Min. 3,6VVcc Nom. 12VVcc Max. 24VP. Out 4,2WRL 4 OhmCase 9-SIL..
118.34 ₽
В корзину