0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

Заканчивается
0
HM9207 - ШИМ-контроллер для импульсных блоков питанияОсобенности работы:Контроллер HM9207 предназначен для ШИМ- управления силовым транзистором однотактного преобразователя напряжения (вывод 6).Представляет собой линейную схему, включающую усилитель ..
252.00 ₽
В корзину
0
Транзистор HY3208 TO220арт.21909Корпус to-220Структура n-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси, В 80Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт 226Максимальный ток сток-исток при Iси, А 120Сопротивление канала в открытом состоянии Rси, Ом 0,0085..
189.99 ₽
В корзину
0
Производитель: IRКорпус: DIP-16Vcc, V:..
94.06 ₽
В корзину
Заканчивается
0
IRF1404PBF, Транзистор, N-канал 40В 180А [TO-220AB]ОписаниеТранзистор полевой N-канальный 40В 180А 200Вт, 0.004 ОмТехнические параметрыСтруктура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 202 ..
320.37 ₽
В корзину
Заканчивается
0
IRF540 Основные параметры и характеристики. Наименование прибора: IRF540 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs| - Предельно до..
75.60 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально доп..
211.45 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRF822Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимый..
169.16 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRF822FIТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустим..
119.82 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: IRF831Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VМаксимально допустимы..
91.77 ₽
В корзину
0
Наименование прибора: IRF9540NТип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VМаксимально допустимый пост..
81.41 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование прибора: IRFD9110Тип транзистора: MOSFETПолярность: PМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжени..
140.96 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRFI744GТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VПороговое напряжение..
352.41 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование прибора: IRFP460PBFТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряже..
253.74 ₽
В корзину
0
IRFZ34NPBF, Транзистор, N-канал 55В 26А [TO-220AB]ОписаниеThe IRFZ34NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.• 175°C Operatin..
36.25 ₽
В корзину
0
IRFZ46NPBF, Транзистор, N-канал 55В 46А [ТО-220АВ]ОписаниеMOSFET, N, 55V, 46A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 46A Resistance, Rds On 0.02ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs t..
52.68 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Корпус : TABS10-8 Uи.п.мин : 9V Uи.п.мах : 17V PoutMAX : 2W Rн.Ом: 8 Iпот.мах: 12 mA Iвых.мах: 1.4 A..
124.05 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеКорпус: SIP7..
213.11 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеVCR пpоцессоp SHARP VC-55S/779E..
1 673.64 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель: SharpTV декодеp SECAMКорпус: DIP-30..
661.53 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель: SharpУсилитель УНЧ, 6В…14В, 4.5Вт, 4 Ом, 40…18000кГцКорпус HSIP-10Вес 4 г..
289.42 ₽
В корзину
Заканчивается
0
VCR сеpвопpоцессоp SHARP VC-A10XКорпус SDIP30400..
1 882.08 ₽
В корзину
Заканчивается
0
VCR пpоцессоpКорпус DIP-64Вес 10,2 г..
5 018.85 ₽
В корзину
Заканчивается
0
VCR сеpвопpоцессоp SHARP VC-A105B/K89NTКорпус: SDIP42..
1 815.44 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеИМС памяти ТВ..
1 184.97 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.