0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: 2SB703AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcим..
95.10 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: 2SB709Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcима..
56.19 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 VMaximum Collector Current |Ic max|: 1 A..
82.70 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
2SB817, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-12А, Vceo=-140В, Vcbo=-160В, Pd=100Вт, hFE= 60…200 [TO-3PN]Технические параметрыСтруктура pnpМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 160Макс. напр. к-э при заданном токе ..
194.35 ₽
В корзину
