ОписаниеТранзистор биполярныйТехнические характеристики:Структура: P-N-PМаксимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э: 70 ВМаксимальное напряжение к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б: 60 ВМаксимально допустимы..
Material of Transistor: SiPolarity: PNPMaximum Collector Power Dissipation (Pc): 10 WMaximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 VMaximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 VMaximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 VMaximum Collector Current |Ic max|: 1 A..