Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

2SC 3331

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

3.29 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3377

Биполярный транзистор 2SC3377Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 AПредельная температура PN-перехода ..

24.81 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3399

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

7.20 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3400

Биполярный транзистор 2SC3400Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустим..

28.24 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3402

18.61 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3417

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3417Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcим..

21.70 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3420

Биполярный транзистор 2SC3420Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимо..

62.70 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3456

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

201.72 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3461

Биполярный транзистор 2SC3461 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Наименование производителя: 2SC3461 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение кол..

151.62 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3466

Биполярный транзистор 2SC3466Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 VМакcимально допус..

423.78 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3468

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

15.43 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3486

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3486Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..

477.54 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3502

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3502Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 VМакcим..

15.94 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3507

Биполярный транзистор 2SC3507Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 AПредельная температура PN-перехода..

372.13 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3568

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3568Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 AПредельная температу..

263.13 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3611

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3611Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 AПредельная темпера..

65.46 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3678

Биполярный транзистор 2SC3678Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допусти..

299.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3679

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

67.11 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3680

Биполярный транзистор 2SC3680Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допуст..

299.76 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3811

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3811Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 AПредельная температ..

28.17 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3866 (metall)

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A..

38.12 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3883

Биполярный транзистор 2SC3883Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимальный посто..

184.52 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

2SC 3884A

Биполярный транзистор 2SC3884AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допус..

299.76 ₽

В корзину

Популярный

2SC 3886A

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..

221.40 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.