0.00 ₽
Оформить заказ
Популярный
Заканчивается
Биполярный транзистор 2SC4517Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допусти..
147.66 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Биполярный транзистор 2SC4833Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допусти..
68.60 ₽
В корзину
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
162.69 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Заканчивается
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база..
196.00 ₽
В корзину
Популярный
ОписаниеНаименование производителя: KSC5030FТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..
121.96 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
ОписаниеНаименование производителя: 2SC5048Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакc..
164.42 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
Биполярный транзистор 2SC5239Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допусти..
353.70 ₽
В корзину
Популярный
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (..
177.52 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
Популярный
ОписаниеХарактеристики транзистора 2SC536Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не б..
3.57 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).
В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.
Самый известный полупроводник — кремний (Si).
Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.
Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.