0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

0
Биполярный транзистор TIP32Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 VМакcимально допустимое ..
21.84 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеТранзисторы ГТ404 - германиевые, усилительные, средней мощные низкочастотные, структуры n-p-n(комплементарны ГТ402).Два варианта корпуса. Масса варианта 1 - не более 5гр, варианта 2 - не более 2гр. Маркировка буквенно - цифровая.Наиболее важн..
16.91 ₽
В корзину
0
ГТ905АТранзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты. Выпускаются в металли..
54.12 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор KT3102VПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение ..
16.91 ₽
В корзину
0
ОписаниеКТ3102д, Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200МГц, h21e=200…500 [КТ-26 / TO-92] (=BC547B),Тип товара : Транзистры биполярныеСовместимость : Оригинальный предназначен для техники: ABCТип товара: Транзистры биполярные..
16.91 ₽
В корзину
0
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ503ВСтруктура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 60 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
3.28 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса..
27.83 ₽
В корзину
0
КТ837ФТранзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корп..
31.57 ₽
В корзину
0
КТ852АТранзисторы КТ852А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28 (ТО-22..
31.57 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеГТ403АТранзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Выпускаются..
31.57 ₽
В корзину
0
КТ361ГТранзисторы КТ361Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке.Масса тран..
7.89 ₽
В корзину
0
Технические параметрыМаксимальная определяемая длина волны 1100нмДлина волны пиковой чувствительности 850нмМинимальная определяемая длина волны 400нмМатериал диода КремнийПроизводитель ..
19.17 ₽
В корзину
Заканчивается
Заканчивается
Продано
0
ОписаниеТип Класс ABТип выхода 1-канальный (Моно)Макс. выходная мощность х каналы @ нагрузка 500mW x 1 @ 16 OhmНапряжение питания 4 V ~ 12 VКорпус 8-DIPВстречается под наим. NJM#386D, NJM#386D-ND..
28.97 ₽
Нет в наличии
Продано
0
Описание ИС кадровой развертки..
17.76 ₽
Нет в наличии
Продано
0
ОписаниеХарактеристики транзистора КТ209АСтруктура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 15 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектор..
2.47 ₽
Нет в наличии
Продано
0
ОписаниеТранзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в..
0.69 ₽
Нет в наличии
Продано
0
КТ3127АТранзистор КТ3127А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц.Предназначен для применения в усилителях высокой частоты. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибким..
56.37 ₽
Нет в наличии
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.