0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Полупроводники

Заканчивается
0
Стабилитрон MA4075 производства Panasonic - 7,5 В 0,4 Вт, на узкой ленте (38 мм)..
105.25 ₽
В корзину
0
Стабилитрон защитный диод 140В 1А..
48.57 ₽
В корзину
0
Стабилитрон защитный диод 120В 2А..
43.08 ₽
В корзину
0
Кремниевые диффузионно-сплавные стабилитроны Д817Б средней мощности предназначены для стабилизации напряжения.Технические характеристики стабилитрона Д817Б: Разброс напряжения стабилизации: 61... 75 В при токе стабилиза..
9.53 ₽
В корзину
0
ОписаниеПЛАСТИКОВЫЙ ФОРМОВАННЫЙ ТИРИСТОРТехнические параметрыМаксимальное обратное напряжение Uобр.,В 500Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 500Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.м..
41.11 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель: NECSilicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element..
137.81 ₽
В корзину
0
5P4M, Тиристор 5А 400ВТехнические параметрыМаксимальное обратное напряжение Uобр.,В 500Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 500Макс...
210.47 ₽
В корзину
0
Максимальное обратное напряжение: 600ВМаксимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии: 600ВМаксимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии: 3АМаксимальный кратковременный импульсный ток в открытом состоянии: 30..
144.08 ₽
В корзину
Заканчивается
0
AC05F симистор 5А/600В to220Производитель: NEC..
192.72 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеПроисхождение товара:Guangdong, ChinaНаименование:СтандартМодели:CR5AS-12Напряжение-состоянии off:600 ВНапряжение-ворота триггер (VGT) (макс.):800mVТок-ворота триггер (igt) (макс.):100uAНапряжение на состояние (vtm) (макс.):1.8 ВТекущее состо..
339.55 ₽
В корзину
0
Производитель: Mitsubishi ElectricLow Power Use Non-Insulated Type / Glass Passivation Type..
216.12 ₽
В корзину
0
Производитель TOSHIBAГруппа: Тиристоры Корпус: TO-92-3..
332.02 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Производитель: MITКорпус: TO-220FОписание: Тиристор..
720.41 ₽
В корзину
0
КУ221АТиристоры кремниевые КУ221А, диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в телевизионных приемниках цветного изображения при частоте до 30 кГц.Выпускаются в металлостеклянн..
116.30 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: 2SC3277Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..
158.48 ₽
В корзину
0
КТ815ВТранзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус плас..
21.00 ₽
В корзину
0
2Т903АТранзисторы 2Т903А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.Масс..
191.79 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Технические параметрыСтруктура -- npn с резистором и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В -- 1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В -- 700 Максимально допустимый т..
126.00 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..
720.41 ₽
В корзину
0
Производитель: Sanken ElectricТранзистор биполярныйКорпус: TO3PML..
259.59 ₽
В корзину
0
ОписаниеХарактеристики транзистора MJE2955TСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -10 АРассеиваемая мощность коллектора,..
57.30 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
120.38 ₽
В корзину
0
Модуль регулировки напряжения-Микросхема MJE13005, E13005-2MJE13005, Транзистор, NPN, 400В, 4А, 75Вт [TO-220]ХарактеристикиНазвание бренда-TZTНомер модели-MJE13005Происхождение-КитайТовары для ремонта-ELECTRICALСодержит вещества высокой опасности-Нет..
52.50 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.