0
0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее
phone-icon
Заказать звонок

0.00 ₽

Оформить заказ
Список категорий

Полупроводники

Популярный
BA 8205
BA 8205
0
ОписаниеИС для телекоммуникации...
98.89 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BA 8216
BA 8216
0
ОписаниеИС для телекоммуникации..
90.55 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BA 9700AF
BA 9700AF
0
ОписаниеДанные микросхемы поставляются для ремонта бытовой техникиОписание Switching regulator for DC / DC ConvertersФункционал Импульсные стабилизаторы напряжения..
525.08 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BA 9703K
BA 9703K
0
Производитель Rohmsignal processorКорпус QFP-32Вес 0,2 г..
1 806.72 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BA 9705K
BA 9705K
0
Производитель: Rohm3-х канальный импульсный регулятор напряжения..
2 025.89 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BA 9706K
BA 9706K
0
711.44 ₽
В корзину
Популярный
BC 174B
BC 174B
0
BC174B-CDI, Транзистор: NPN, биполярный, 65В, 0,1А, 0,35/1Вт, TO92, 10дБОписаниеНаименование производителя: BC174BТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 64..
21.54 ₽
В корзину
Популярный
BC 182
BC 182
0
Характеристики транзистора BC182Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 ВНапряжение коллектор-база, не более: 60 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 0.1 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.3..
28.40 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BC 212(L)
BC 212(L)
0
Биполярный транзистор BC212Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 VМакcимально допустимое..
18.60 ₽
В корзину
Популярный
BC 328
BC 328
0
Биполярный транзистор BC328Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимое..
10.10 ₽
В корзину
Популярный
BC 369
BC 369
0
Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
13.58 ₽
В корзину
Популярный
BC 536
BC 536
0
NPN 40V,100MAКорпус TO-92Вес 0,2 г..
6.72 ₽
В корзину
Популярный
BC 537
BC 537
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база ..
11.22 ₽
В корзину
Популярный
BC 547B=КТ3102Б
BC 547B=КТ3102Б
0
BC547B, Транзистор NPN 45В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 ..
6.66 ₽
В корзину
Популярный
BC 548
BC 548
0
Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..
5.30 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BC 556B
BC 556B
0
BC556B, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Характеристики транзистора BC556BСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более..
6.06 ₽
В корзину
Популярный
BC 558B
BC 558B
0
Биполярный транзистор BC558BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
6.64 ₽
В корзину
Популярный
BC 558C
BC 558C
0
Биполярный транзистор BC558CТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..
9.93 ₽
В корзину
Популярный
BC 635
BC 635
0
Биполярный транзистор BC635Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально допустимое н..
7.93 ₽
В корзину
Популярный
BC 879/B
BC 879/B
0
ОписаниеНаименование производителя: BC879Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..
41.57 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BCR 1AM-8
BCR 1AM-8
0
ОписаниеФункционал Симистор (TRIAC)Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor..
126.22 ₽
В корзину
Популярный
BD 137
BD 137
0
12.34 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BD 677(A)
BD 677(A)
0
ОписаниеНаименование производителя: BD677Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcималь..
61.96 ₽
В корзину
Популярный
Заканчивается
BD 679(A)
BD 679(A)
0
Описание Характеристики транзистора BD679AСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 4 АРассеиваемая мощность коллектора, не бо..
83.66 ₽
В корзину
Полупроводники

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.