Полупроводники

Микросхемы серий 24xx - 93xx

микросхемы серий AN - DTS

микросхемы серий F -KS

микросхемы серий L - MN

микросхемы серий NE - QSMQ

микросхемы серий SAA - STV

микросхемы серий TA - TVPO

микросхемы серий U - Z

Транзисторы биполярные

Транзисторы полевые

Тиристоры

Симисторы, динисторы

Оптроны (твёрдотельные реле)

Диоды, диодные мосты

Стабилитроны

Индикаторы, светодиоды

фотоприёмники, фотодиоды

микросхемы отечественные

транзисторы отечественные

Популярный

BU 4094B

Производитель ToshibaCMOS 8-stage Shift-and-store Bus Register..

27.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BU 426A

ОписаниеНаименование производителя: BU426AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 114 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

213.37 ₽

В корзину

Популярный

BU 508AF "Sanyo"

ОписниетипТранзисторы биполярныеНаименование:BU 508 AF /SOT199/ SANYOБрэнд:SANYOОписание: BU 508 AF /SOT199/ SANYOПараметры:Тип - Si-NНапряжение Umax (V) - 1500.00Напряжение Unom (V) - 700.00Ток Ic (A) - 5.00Мощность Pq (W) - 34.00Коэф. усиления - 20..

66.71 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BU 5800F

ОписаниеBU5800F, Передатчик ИК-сигнала, ПДУ - Микросхемы..

2 967.65 ₽

В корзину

Популярный

BU 806

90.22 ₽

В корзину

Популярный

BU 807

Корпус (размер) TO-220-3Тип монтажа ВыводнойPower - Max 60WCurrent - Collector Cutoff (Max) 100µAVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA..

62.98 ₽

В корзину

Популярный

BU 941ZPFI

Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..

349.55 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUH 315

Биполярный транзистор BUH315Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допусти..

192.89 ₽

В корзину

Популярный

BUK 444-500A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сто..

79.86 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 444-500A,B (Plastic)

Partname: BUK444-500ADescription: MOSFETs and TempFETsManufacturer: Philips SemiconductorsPackage: SOT-186..

79.86 ₽

В корзину

Популярный

BUK 444-600A,B

Наименование: BUK444-600BТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ug..

145.20 ₽

В корзину

Популярный

BUK 444-800A,B

108.91 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 445-500A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VМаксимально до..

81.68 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 446-600A,B

88.11 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 446-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление с..

128.04 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 454-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VМаксималь..

250.87 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 455-500A,B

Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB..

117.99 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-1000A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление..

181.51 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-200A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

224.04 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUK 456-800A,B

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально до..

154.28 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

41.79 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

112.52 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

145.82 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

121.40 ₽

В корзину

Полупроводники — это кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

В нормальном состоянии полупроводники проводят небольшое количество тока или не проводят его совсем. Но с ростом температуры или под действием света они начинают лучше пропускать электрические заряды.

Самый известный полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники используются в смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и других устройствах.