Транзисторы биполярные

Популярный

Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (U..

4.24 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BC 556B

BC556B, Транзистор PNP 65В 0.1А 0.5Вт [TO-92 Ammo]Характеристики транзистора BC556BСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -65 ВНапряжение коллектор-база, не более: -80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более..

4.85 ₽

В корзину

Популярный

BC 558B

Биполярный транзистор BC558BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..

5.31 ₽

В корзину

Популярный

BC 558C

Биполярный транзистор BC558CТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМакcимально допустимо..

7.94 ₽

В корзину

Популярный

BC 635

Биполярный транзистор BC635Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcимально допустимое н..

6.34 ₽

В корзину

Популярный

BC 879/B

ОписаниеНаименование производителя: BC879Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..

33.25 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BCR 1AM-8

ОписаниеФункционал Симистор (TRIAC)Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor..

100.95 ₽

В корзину

Популярный

BD 137

9.87 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BD 677(A)

ОписаниеНаименование производителя: BD677Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcималь..

49.55 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BD 679(A)

Описание Характеристики транзистора BD679AСтруктура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 ВНапряжение коллектор-база, не более: 80 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 4 АРассеиваемая мощность коллектора, не бо..

66.91 ₽

В корзину

Популярный

BD 680(A)

Описание Наименование производителя: BD680AТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcима..

53.02 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BDX 34B

Биполярный транзистор BDX34BТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимально допустимое..

99.75 ₽

В корзину

Популярный

BF 423(S)

Биполярный транзистор BF423SТип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допуст..

8.08 ₽

В корзину

Популярный

BF 459

ОписаниеНаименование производителя: BF459Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимал..

31.12 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BF 469

Биполярный транзистор BF469Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 VМакcимально допустимое..

39.68 ₽

В корзину

Популярный

BU 208A "Toshiba"=КТ838А

Биполярный транзистор BU208AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допус..

65.11 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BU 2525AX (Original)

ОписаниеНаименование производителя: BU2525AXТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 VМак..

320.90 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BU 406 (Original)

Биполярный транзистор BU406Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 VМакcимально допустимое напря..

60.62 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BU 426A

ОписаниеНаименование производителя: BU426AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 114 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

215.04 ₽

В корзину

Популярный

BU 508AF "Sanyo"

ОписниетипТранзисторы биполярныеНаименование:BU 508 AF /SOT199/ SANYOБрэнд:SANYOОписание: BU 508 AF /SOT199/ SANYOПараметры:Тип - Si-NНапряжение Umax (V) - 1500.00Напряжение Unom (V) - 700.00Ток Ic (A) - 5.00Мощность Pq (W) - 34.00Коэф. усиления - 20..

67.23 ₽

В корзину

Популярный

BU 806

90.92 ₽

В корзину

Популярный

BU 807

Корпус (размер) TO-220-3Тип монтажа ВыводнойPower - Max 60WCurrent - Collector Cutoff (Max) 100µAVce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA..

63.47 ₽

В корзину

Популярный

BU 941ZPFI

Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..

352.28 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUH 315

Биполярный транзистор BUH315Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допусти..

194.39 ₽

В корзину