Транзисторы биполярные

Популярный

BU 941ZPFI

Биполярный транзистор BU941ZPFIТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 VМакcимально допус..

440.44 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUH 315

Биполярный транзистор BUH315Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допусти..

243.04 ₽

В корзину

Популярный

BUT 11AF

ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..

52.65 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 11AX

Биполярный транзистор BUT11AX Даташит. Аналоги Наименование производителя: BUT11AX Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально ..

103.32 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12A

Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

141.77 ₽

В корзину

Популярный

BUT 12AF

Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

183.74 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUT 18AF

Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..

152.97 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUV 48C

Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..

325.91 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11A

322.51 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 11AF

96.23 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12A

Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

257.62 ₽

В корзину

Популярный

BUW 12AF

Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

278.36 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

BUW 13A

Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..

311.20 ₽

В корзину

Популярный

DTA 124EN

ОписаниеНаименование производителя: DTA124EМаркировка: AC4EТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

4.34 ₽

В корзину

Популярный

DTA 124ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA124ES3Маркировка: 6BТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

4.34 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

DTA 143ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA143ESAТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеиваемая мощност..

38.88 ₽

В корзину

Популярный

DTA 144ES

ОписаниеНаименование производителя: DTA144ES3Маркировка: 6CТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..

26.48 ₽

В корзину

Популярный

DTC 124ESF

Производитель ON Semiconductor..

7.49 ₽

В корзину

Популярный

DTC 144ES

корпус: TO92S/formed, инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОмТехнические параметрыСтруктура npn-цифровойМакс. напр. к-б при заданном обратно..

4.34 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор бтполярный 2SC 3277

ОписаниеНаименование производителя: 2SC3277Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 VМакcи..

190.17 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор 2SA 1286 (2SA1286)

Транзистор 2SA1286Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1.5 А, 0.9 Вт..

50.39 ₽

В корзину

Популярный

Заканчивается

Транзистор биполярный FN 1016

ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..

864.49 ₽

В корзину

Популярный

Транзистор биполярный FN 651

Производитель: Sanken ElectricТранзистор биполярныйКорпус: TO3PML..

311.51 ₽

В корзину

Популярный

Транзистор биполярный MJE 2955T

ОписаниеХарактеристики транзистора MJE2955TСтруктура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -10 АРассеиваемая мощность коллектора,..

68.76 ₽

В корзину