0
По вопросу получения оптовых цен - обращайтесь с указанием своего логина и планируемого объема закупок. Подробнее

Транзисторы биполярные

0
ОписаниеНаименование производителя: BUT11AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакc..
42.12 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BUT12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..
113.40 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BUT12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..
146.96 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BUT18AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимально допуст..
122.35 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BUV48CТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 VМакcимально допуст..
260.68 ₽
В корзину
Заканчивается
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BUW12AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..
206.05 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор BUW12AFТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..
222.65 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Биполярный транзистор BUW13AТип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМакcимальный посто..
248.92 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: DTA124EМаркировка: AC4EТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..
3.47 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: DTA124ES3Маркировка: 6BТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..
3.47 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: DTA143ESAТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеиваемая мощност..
31.10 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: DTA144ES3Маркировка: 6CТип материала: SiПолярность: Pre-Biased-PNPВстроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhmВстроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhmСоотношение сопротивлений R1/R2 = 1Максимальная рассеива..
21.18 ₽
В корзину
0
Производитель ON Semiconductor..
5.99 ₽
В корзину
0
корпус: TO92S/formed, инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОмТехнические параметрыСтруктура npn-цифровойМакс. напр. к-б при заданном обратно..
3.47 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеТехнические данные TO3PML(NPN; 110V; 6A; 50W; 20MHz)Функциональное назначение мощный усилительный..
691.46 ₽
В корзину
0
Производитель: Sanken ElectricТранзистор биполярныйКорпус: TO3PML..
249.16 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: MJE800Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимал..
115.55 ₽
В корзину
Заканчивается
0
ОписаниеНаименование производителя: MJF18004Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 VМак..
210.55 ₽
В корзину
Заканчивается
0
Микросхема S1854 является драйвером регулятора для линейного телевизора, который состоит из транзистора усилителя ошибки, стабилитрона стандартного напряжения и поликремниевых резисторов на монолитной микросхеме.Мощный биполярный транзистор, 0.05AI (..
146.62 ₽
В корзину
0
Характеристики транзистора SS8050Структура - n-p-nНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 6 VТок коллектора, не более: 1.5 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 ..
9.57 ₽
В корзину
0
Биполярный транзистор SS9012Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 VМакcимальный постоя..
3.47 ₽
В корзину
0
ОписаниеНаименование производителя: SS9015Тип материала: SiПолярность: PNPМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 VМакcим..
2.83 ₽
В корзину
Транзисторы биполярные